你的位置：彩乐园-迪士尼彩乐园官网 > 迪士尼国际彩乐园 > 迪士尼国际彩乐园 我国在天外得手考据第三代半导体材料制造的功率器件
新华社上海2月2日电（记者张建松、张泉）以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料是我国制造业转型升级的开动要素和迫切保证。记者从中国科学院微电子商量所获悉，我国在天外得手考据了首款国产碳化硅（SiC）功率器件，第三代半导体材料有望牵引我国航天电源升级换代。
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据中国科学院微电子商量所刘新宇商量员先容，功率器件是已毕电能变换和为止的中枢，被誉为“电力电子系统的腹黑”，是最为基础、诈骗最为平日的器件之一。
跟着硅基功率器件的性能迫临极限，以碳化硅（SiC）为代表的第三代半导体材料，以其独到上风可满足空间电源系统高能效、微型化、轻量化需求，对新一代航天工夫发展具有迫切计策真谛。
2024年11月15日，中国科学院微电子商量所刘新宇、汤益丹团队和中国科学院空间诈骗工程与工夫中心刘彦民团队共同研制的碳化硅（SiC）载荷系统，迪士尼彩乐园手机登录搭乘天舟八号货运飞船飞向天外，开启了空间站轨说念科学锻真金不怕火之旅。
“本次搭载主要任务是对国产自研、高压抗发射的碳化硅（SiC）功率器件进行空间考据，并在航天电源中进行诈骗考据，同期进行概述发射效应等科学商量，迟缓提高我国航天数字电源功率，复旧异日单电源模块达到千瓦级。”刘新宇说。
通过一个多月的在轨加电锻真金不怕火，碳化硅（SiC）载荷测试数据正常，得手进行了高压400V碳化硅（SiC）功率器件在轨锻真金不怕火与诈骗考据，在电源系统中静态、动态参数均相宜预期。
业内各人觉得，我国在天外得手考据第三代半导体材料制造的功率器件，记号着在以“克”为计量的空间载荷需求下，碳化硅（SiC）功率器件有望牵引空间电源系统的升级换代，为异日我国在探月工程、载东说念主登月、深空探伤等范围提供新一代功率器件。（完）